通过对近年来的部分文献资料进行归纳分析，介绍了碲镉汞焦平面器件CMOS读出电路(ROIC)的发展动 态。讨论了读出电路的有关概念。列出了部分前放电路的单元结构，并分析了它们的工作特点。介绍了积分时间、积分电容 以及多路传输等因素对读出电路设计的影响。

由III-V 族半导体材料InAs/GaSb 或InAs/Ga1-xInxSb 构成的II 类超晶格(T2SL)光电探测器近年来在理论结构设计及试验器件实现方面进展显著。带隙工程和能带结构工程使得T2SL 比碲镉汞材料具有某些优势，特别是很小的窄带隙方面。这些特有的性质，例如较大的有效电子质量、重空穴带和轻空穴带之间的较大间距可以抑制俄歇复合，使其成为一种很有吸收力的甚长波红外(VLWIR)探测器材料。通过归纳和分析近年来刊发的有关文献资料，介绍了T2SL/VLWIR探测器发展中的有关问题，例如基本概念、结构、性能优化、数值建模、电学性能等。

纳米流体导热特性优异, 其中纳米粒子的运动是纳米流体导热系数显著提高的主要因素。利用激光散斑测速法测量定向纳米流体中纳米粒子的运动。针对纳米粒子的光学特性, 对传统的激光散斑测速(LSV)系统进行了改进, 使之可测试流体中纳米粒子的运动, 且利用实验、数值模拟证实了激光照射纳米流体确能形成散斑。根据改进的实验装置建立了层流物理模型, 基于散斑的统计特性, 通过数学推导得到：在Fresnel衍射区域, 纳米粒子的运动速度等于接收屏上散斑的运动速度。进而构建了定向纳米流体实验装置, 获得了时间间隔很短的序列散斑图。最后对相邻两幅散斑图进行图象处理和信息提取, 得到了纳米粒子运动矢量图。

采用Al-Si粉末对AZ91D镁合金进行了同步送粉激光合金化研究,以期改善镁合金的耐腐蚀性能。讨论了激光加工参数与合金化层几何尺寸的对应关系;采用扫描电镜(SEM)、能谱分析仪(EDS)、X射线衍射仪(XRD)等材料表征手段分析了合金化层显微组织的结构特征。通过阳极极化实验评价了AZ91D镁合金激光合金化组织的腐蚀性能。结果表明,AZ91D镁合金激光合金化表层的耐腐蚀性能明显提高; 剖析了Mg2Si,Al12Mg17,Al3Mg2等金属间化合物(IMC)的耐腐蚀作用。

The fatigue properties of laser peened aluminum alloy 7050 specimens with fastener holes were investigated. The surface profile and residual stress induced in the shock affected zone were characterized. Then, the fatigue specimens with notch were treated by laser peening (LP), and the fatigue lifes of LP-treated specimens were measured and compared with base materials without LP. The results indicated that LP improved the fatigue lifes of all tested specimens. The average fatigue lifes of specimens treated by LP before hole-drilling were 173% longer than those of untreated samples and had better effects than those specimens treated by LP after hole-drilling.